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馬弗爐日常使用及維護(hù)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-10-19
核心提示:馬弗爐實驗室基礎(chǔ)實驗設(shè)備,結(jié)構(gòu)原理簡單,操作容易,但是,操作不當(dāng)也會出現(xiàn)使用故障。
 馬弗爐的分類

馬弗爐(Muffle furnace)主要用于燃料測定水分、灰分、揮發(fā)分、熔點分析、灰成分分析、元素分析。也可以作為通用灰化爐使用。在食品、環(huán)境、制藥等方面也常有用處。

馬弗爐根據(jù)其加熱元件、使用溫度和控制器的不同有以下幾種分類:

1、按加熱元件區(qū)分有:電爐絲馬弗爐、硅碳棒馬弗爐、硅鉬棒馬弗爐。

2、按使用溫度來區(qū)分一般分為:1000度以下箱式馬弗爐,1100度~1300度馬弗爐(硅碳棒馬弗爐), 1600度以上用的是硅鉬棒馬弗爐。

3、按控制器來區(qū)分有如下幾種:PID調(diào)節(jié)控制馬弗爐(可控硅數(shù)顯溫度控制器),程序控制馬弗爐(電腦時溫程控器)。

4、按保溫材料來區(qū)分有:普通耐火磚馬弗爐和陶瓷纖維馬弗爐兩種。
日常維護(hù)保養(yǎng)注意事項

1、當(dāng)馬弗爐第一次使用或長期停用后再次使用時,必須進(jìn)行烘爐。烘爐的時間應(yīng)為200℃至600℃四小時。使用時,爐溫最高不得超過額定溫度,以免燒毀電熱元件。禁止向爐內(nèi)灌注各種液體及易溶解的金屬,馬弗爐最好在低于最高溫度500℃以下工作,此時爐絲有較長的壽命。

 

2、馬弗爐和控制器必須在相對濕度不超過85%、沒有導(dǎo)電塵埃、爆炸性氣體或腐蝕性氣體的場所工作。凡附有油脂之類的金屬材料需進(jìn)行加熱時,有大量揮發(fā)性氣體將影響和腐蝕電熱元件表面,使之銷毀和縮短壽命。因此,加熱時應(yīng)及時預(yù)防和做好密封容器或適當(dāng)開孔加以排除。

 

3、馬弗爐控制器應(yīng)限于在環(huán)境溫度0-40℃范圍內(nèi)使用。

 

4、根據(jù)技術(shù)要求,定期經(jīng)常檢查電爐、控制器的各接線的連線是否良好。連接到控制器的各測溫?zé)犭娕伎赡軐刂破鳟a(chǎn)生干擾,出現(xiàn)控制器顯示值跳字、測量誤差增大等現(xiàn)象,爐溫度越高,此現(xiàn)象越明顯。因此,務(wù)必將熱電偶的金屬保護(hù)管(外殼)良好接地,必要時,使用三線輸出的熱電偶?傊瑧(yīng)采取一切有效措施減小干擾。

 

5、熱電偶不要在高溫時驟然拔出,以防外套炸裂。

 

6、經(jīng)常保持爐膛清潔,及時清除爐內(nèi)氧化物之類東西。

 

 

7、使用過程中,在爐內(nèi)用堿性物質(zhì)熔融試樣或灼燒沉淀物時,應(yīng)嚴(yán)格控制操作條件,最好在爐底預(yù)先鋪一層耐火板,以防止腐蝕爐膛。
使用安全技術(shù)操作規(guī)程

1、使用時切勿超過本電阻爐的最高溫度。

2、裝取試樣時一定要切斷電源,以防觸電。

3、裝取試樣時爐門開啟時間應(yīng)盡量短,以延長電爐使用壽命。

4、禁止向爐膛內(nèi)灌注任何液體。

5、不得將沾有水和油的試樣放入爐膛;不得用沾有水和油的夾子裝取試樣。

6、裝取試樣時要戴手套,以放燙傷。

7、試樣應(yīng)放在爐膛中間,整齊放好,切勿亂放。

8、不得隨便觸摸電爐及周圍的試樣。

9、使用完畢后應(yīng)切斷電源、水源。

10、未經(jīng)管理人員許可,不得操作電阻爐,嚴(yán)格按照設(shè)備的操作規(guī)程進(jìn)行操作。

灰分檢測的注意事項

1、樣品經(jīng)初步灼燒后取出冷卻,可從坩堝邊緣慢慢加入少量去離子水(不可直接灑在殘灰上,以防殘灰飛揚(yáng))使水溶性鹽類溶解,被包住的碳粒暴露出來,在水浴上蒸干,置于120℃~130℃烘箱中充分干燥(充分去除水分,以防再灰化時,因加熱使殘灰飛散),再灼燒到恒重。

 

2、把坩鍋放入馬弗爐或從爐中取出時,要在爐口停留片刻,使坩堝預(yù)熱或冷卻,防止因溫度劇變而使坩堝破裂。

 

3、坩堝鉗在鉗熱坩堝時,要在電爐或馬弗爐上預(yù)熱片刻。

 

4、灼燒后的坩堝應(yīng)冷卻到200℃以下再移入干燥器中,否則因熱的對流作用,易造成殘灰飛散,且冷卻速度慢,冷卻后干燥器內(nèi)形成較大真空,蓋子不易打開。

 

5、當(dāng)坩堝放入干燥器后,先蓋上蓋子,再慢慢推開蓋子,放出空氣。這樣重復(fù)數(shù)次,把蓋子蓋緊并冷卻至室溫。

 

6、從干燥器內(nèi)取出坩堝時,因內(nèi)部成真空,開蓋恢復(fù)常壓時,應(yīng)該輕放,使空氣緩緩流入,以防殘灰飛散。

編輯:songjiajie2010

 
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